에사키 레오나(Leo Esaki)

누구인가요?

에사키 레오나(일본어: 江崎 玲於奈, 1925년 3월 12일 ~ )는 일본의 물리학자이다. 해외에서는 레오 에사키(Leo Esaki, レオ・エサキ)라는 이름으로도 알려져 있다. 1958년 소니의 전신인 도쿄통신공업주식회사에 근무하던 시절에 연구한 반도체 PN 접합에서 터널링 효과를 발견한 공로로 1973년에 이바르 예베르, 브라이언 데이비드 조지프슨과 함께 노벨 물리학상을 수상했다. 이 터널링 효과를 이용한 소자가 터널 다이오드(일명 ‘에사키 다이오드’)이다. 인물 오사카부 나카카와치군 다카이다촌(현: 히가시오사카시)에서 태어나 교토부 교토시에서 자랐다. 1947년에 도쿄 제국대학을 졸업한 뒤 가와니시 기계제작소(후의 고베 공업 주식회사, 현재의 후지쯔텐)에 입사, 진공관 음극에서의 열전자 방출에 대한 연구를 하다가 1956년에 도쿄통신공업주식회사(현재의 소니)로 직장을 옮겼다. 반도체 연구실의 주임 연구원으로서 PN 접합 다이오드의 연구에 착수하고 약 1년 간의 시행착오를 거쳐 게르마늄의 PN 접합폭을 줄이면 그 전류 전압 특성에 터널 효과에 의한 영향이 지배적으로 나타나고 전압을 크게 할수록 반대로 전류가 감소하는 부성 저항이 나타난다는 것을 발견했다. 발견의 전말에 대해서는 당시 도쿄통신공업이 제조한 게르마늄 트랜지스터의 불량품을 분석하다가 우연히 터널 효과를 지닌 트랜지스터(제품으로는 쓸모가 없음)를 찾은 것이 발견의 계기가 됐다는 사실이 훗날 《NHK 스페셜》 ‘전자입국 일본의 자서전’에서 당시 관계자에 의해 기록돼 있다. 이 발견은 물리학에 있어서 고체의 터널 효과를 최초로 실증한 사례이자 전자공학에서는 터널 다이오드(일명 ‘에사키 다이오드’)라는 새로운 전자 부품의 탄생이었다. 이러한 성과에 힘입어 1959년에 도쿄 대학에서 박사학위를 받았다. 1973년에는 초전도체 내에서의 똑같은 터널 효과로 공적을 세운 이바르 예베르와 함께 노벨 물리학상을 수상했다. 그 해의 물리학상은 조지프슨 효과를 발견한 브라이언 데이비드 조지프슨에게도 돌아갔다. 1960년, 미국 IBM 왓슨 연구소로 자리를 옮겨 자기장과 전기장 아래에 있는 새로운 타입의 전자, 즉 포논 상호작용과 터널 분광에 대한 연구를 했다. 더욱이 분자선 에피택시법을 개발하여 이를 이용해서 반도체 초격자 구조를 만드는데 성공했다.